چگونه برای برگزاری یک پانسیون مطالعه موفق، می توان اقدام کرد؟ 1402.04.27
6 که به طور قابل‌توجهی کندتر است [10]، [23]. تکامل دامنه مغناطیسی می تواند در پانسیون مطالعاتی شبانه روزی دو نوع باشد: (1) هسته زایی دامنه مغناطیسی در چندین مکان و ادغام پس از آن، و (ب) هسته زایی دامنه مغناطیسی در یک گوشه و سپس انتشار دیواره دامنه به سمت انتهای دیگر [23]. در اینجا نشان می‌دهیم که انتشار دیواره دامنه می‌تواند به طور قابل ملاحظه‌ای در یک بایاس میدان مغناطیسی کند باشد و می‌تواند به عنوان تابعی از جریان سنجش DC در دستگاه نوار Hf/Gd-Fe-Co/SiN Hall تنظیم شود. در این مقاله، ما یک مطالعه تجربی بر روی آرامش مغناطیسی دستگاه نوار هال Hf/Gd-Fe-Co/SiNx ارائه می‌کنیم که با اندازه‌گیری‌های الکتریکی مقاومت غیرعادی هال در پانسیون مطالعه در اصفهانdrazingazor دکتر آذین گازر مورد بررسی قرار گرفت. انگیزه این مطالعه درک آرام‌شدن آهسته مغناطش تحت پارامترهای مختلف مانند جریان‌های حسگر DC با قطبیت جریان مثبت و منفی، میدان بایاس برای هسته‌زایی دامنه و وجود یک شکاف در کانال جریان است. قطعات بخش مواد و روش ها فیلم دولایه Hf/Gdx(Fe0.8Co0.2)1-x با لایه درپوش SiN بر روی بستر Si-سوبسترای اکسید شده حرارتی
- ۰ ۰
- ۰ نظر